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本发明涉及一种双T型栅的制备方法，采用光刻以及湿法刻蚀工艺就能实现亚微米尺寸的双T型栅的制造，降低了双T型栅的制备难度，采用盐酸溶液刻蚀也基本不会影响AlGaN表面的粗糙度；相较于传统T型栅，双T型栅的设计使得导体的表面积增加，有助于提高电...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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