【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体器件领域，特别涉及一种双t型栅的制备方法。
技术介绍
1、以algan/gan、gaas/algaas异质结结构为代表的高电子迁移率晶体管具有高频、高速、耐高压、大功率等特点，广泛应用于射频微波领域。而栅极的制备工艺会极大的影响器件的高频特性，为了获得高增益、低噪声和高速的射频器件，关键要求是短栅长，而器件栅长的缩小又增大了栅电阻，影响器件高频性能。目前t型栅工艺已被公认为用于制备高频器件的主流技术。其短栅根保证了器件的高频特性，而长栅帽则减小了栅电阻，因此研究并优化t型栅制备工艺具有极大的意义。
2、深紫外光刻、纳米压印技术以及电子束光刻技术常用于t型栅的制作，然而采用这些技术的t型栅的产率和均匀性往往会受到极端光刻以及其他工艺步骤的影响，所以需要对工艺步骤进行简化。
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种双t型栅的制备方法，该方法采用光刻以及湿法刻蚀工艺就能实现亚微米尺寸的双t型栅的制造。
2、本专利技术提供了一种双t型栅的制备方法，包括如下步骤：
3、(1)采用ar离子研磨法对样品进行台面隔离；
4、(2)通过光刻、蒸镀、剥离和退火形成源金属欧姆电极和漏金属欧姆电极；
5、(3)沉积ni/au/ni/au用于栅金属电极制备；
6、(4)在丙酮/丙醇溶液中通过剥离工艺进行金属化成型；
7、(5)采用盐酸溶液刻蚀样品，通过控制刻蚀时间和溶液浓度精确控制ni金属
8、(6)刻蚀完成后将样品放在去离子水中冲洗，得到双t型栅。
9、优选的，所述步骤(2)中的源金属欧姆电极和漏金属欧姆电极由金属ti/al/ni/au堆叠形成。
10、优选的，所述步骤(2)中的退火温度为800-900℃，退火时间为30-60s，在n2氛围下进行。
11、优选的，所述步骤(4)中的丙酮与丙醇的体积比为1-3:1。
12、优选的，所述步骤(5)中的盐酸溶液中盐酸和水的体积比为1:100-200。
13、优选的，所述步骤(5)中的刻蚀时间为10-15min。
14、优选的，所述步骤(6)中的去离子水冲洗时间为10-15min。
15、有益效果
16、本专利技术采用光刻以及湿法刻蚀工艺就能实现亚微米尺寸的双t型栅的制造，降低了双t型栅的制备难度，采用盐酸溶液刻蚀也基本不会影响algan表面的粗糙度；相较于传统t型栅，双t型栅的设计使得导体的表面积增加，有助于提高电流在导体表面的分布，降低电阻，从而降低损耗和增加传输效率，有效减少趋肤效应损耗。
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1.一种双T型栅的制备方法，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的源金属欧姆电极和漏金属欧姆电极由金属Ti、Al、Ni、Au形成。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的退火温度为800-900℃，退火时间为30-60s，在N2氛围下进行。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(4)中的丙酮与丙醇的体积比为1-3:1。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中的盐酸溶液中盐酸和水的体积比为1:100-200。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中的刻蚀时间为10-15min。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(6)中的去离子水冲洗时间为10-15min。
【技术特征摘要】
1.一种双t型栅的制备方法，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的源金属欧姆电极和漏金属欧姆电极由金属ti、al、ni、au形成。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的退火温度为800-900℃，退火时间为30-60s，在n2氛围下进行。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李根，吴亮，吴杨，马灵美，林昊锋，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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