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本发明涉及一种大面积、高度均匀有序量子点阵列制造方法。其方法为：它采用软紫外纳米压印光刻ＵＶ－ＮＩＬ和感应耦合等离子体刻蚀ＩＣＰ工艺在衬底上制备出纳米孔图形阵列；以制备的图形化衬底为模板，使用金属有机化学气相沉积系统ＭＯＣＶＤ自组织生长量子...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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