一种大面积、高度均匀有序量子点阵列制造方法技术

本发明专利技术涉及一种大面积、高度均匀有序量子点阵列制造方法。其方法为：它采用软紫外纳米压印光刻ＵＶ－ＮＩＬ和感应耦合等离子体刻蚀ＩＣＰ工艺在衬底上制备出纳米孔图形阵列；以制备的图形化衬底为模板，使用金属有机化学气相沉积系统ＭＯＣＶＤ自组织生长量子点。本发明专利技术实现了大面积、高度均匀有序量子点阵列的低成本、一致性和批量化制备，可应用于量子点激光器、量子点存储器、量子点太阳能电池、量子点ＬＥＤ、单光子发射器等器件的制造。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种大面积、高度均匀有序量子点阵列制造方法，其特征在于，它采用软紫外纳米压印光刻ＵＶ－ＮＩＬ和感应耦合等离子体刻蚀ＩＣＰ工艺在衬底上制备出纳米孔图形阵列；以制备的图形化衬底为模板，使用金属有机化学气相沉积系统ＭＯＣＶＤ自组织生长量子点；其具体工艺步骤是：（１）衬底预处理；（２）图形化衬底，采用软紫外纳米压印光刻ＵＶ－ＮＩＬ和感应耦合等离子体刻蚀ＩＣＰ工艺在衬底上制备出纳米孔图形阵列；（３）使用氧化层去除工艺，去除图形表面氧化层；（４）生长缓冲层，生长１０－３０ｎｍ的缓冲层；（５）生长量子点，使用金属有机化学气相沉积系统ＭＯＣＶＤ自组织生长均匀有序、位置可控的量子点阵列；（６）沉积覆盖层，首先沉...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：兰红波，楼刚，波尔伍都，宾贝格笛特，丁玉成，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：88[中国|济南]