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本发明提供一种半导体装置及其制备方法，该装置包括：衬底；第一氮化物半导体层，位于衬底上方；第二氮化物半导体层，位于第一氮化物半导体层上方，第二氮化物半导体层的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙；第一导电结构，位于第二氮化物半导体层之上；第一介...
该专利属于英诺赛科（珠海）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（珠海）科技有限公司授权不得商用。

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