一种半导体装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制备方法，该装置包括：衬底；第一氮化物半导体层，位于衬底上方；第二氮化物半导体层，位于第一氮化物半导体层上方，第二氮化物半导体层的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙；第一导电结构，位于第二氮化物半导体层之上；第一介电层，位于第一导电结构之上；阻挡层，位于第一介电层之上；第二介电层，位于第一介电层之上，第二介电层的顶表面平行于衬底表面；以及第二导电结构，位于第二氮化物半导体层之上并包括沿平行于衬底表面的方向延伸的第一部，其中第一部与第一介电层之间至少间隔第二介电层，且第一部的底表面与阻挡层的顶表面共平面。本发明专利技术中，通过化学机械平坦化，消除金属残留提高器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体装置及其制备方法。

技术介绍

1、随着高效完备的功率转换电路及系统需求的日益增加，具有低功耗和高速特性的功率器件吸引了越来越多的关注。而为了满足上述需求相应的半导体器件在上述电路和系统中的应用越来越多。

2、以半导体晶体管为例，半导体晶体管器件一般包括栅极、源极和漏极，栅极会进一步通过导电结构引出，实现与外部结构的电连接。然而在形成栅极过程中，受到制作工艺等各方面影响，容易在空白区域形成金属残留，这会导致栅极的实际位置更靠近源极和漏极，容易导致源极和漏极的击穿，从而影响器件的特性，带来可靠性风险。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种半导体装置及其制备方法，以解决现有的在空白区域形成金属残留导致源极和漏极易击穿的问题。

2、为了解决上述技术问题，本专利技术是这样实现的：

3、第一方面，本专利技术实施例提供了一种半导体装置，包括：

4、衬底；

5、第一氮化物半导体层，其位于所述衬底上方；

6、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二介电层的顶表面低于所述第一部的顶表面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二介电层的顶表面高于所述第一部的顶表面。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层的顶表面与所述第二介电层的顶表面共平面。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层的顶表面低于所述第二介电层的顶表面。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层包括位于所述第一导电结构上方的第一部分以及位...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二介电层的顶表面低于所述第一部的顶表面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二介电层的顶表面高于所述第一部的顶表面。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层的顶表面与所述第二介电层的顶表面共平面。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层的顶表面低于所述第二介电层的顶表面。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层包括位于所述第一导电结构上方的第一部分以及位于所述第一部下方的第二部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第一部分的厚度与所述第二部分的厚度相同。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层包括氮化物。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层包括氮化硅。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层的第一底表面位于所述第一介电层的顶表面与底表面之间。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，所述第一底表面位于所述第一导电结构与所述第二导电结构之间。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明，孙驰，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：