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本发明公开了一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法。本发明高光转化率的含氟聚噻吩光电材料具有含氟聚噻吩受体－聚噻吩－聚噻吩给体的三嵌段高分子结构，其中含氟聚噻吩受体是含氟烷基链的聚噻吩。与现有技术相比，本发明含氟聚噻吩光电材料在聚噻...
该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

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