一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材料及其制备方法。本发明专利技术高光转化率的含氟聚噻吩光电材料具有含氟聚噻吩受体－聚噻吩－聚噻吩给体的三嵌段高分子结构，其中含氟聚噻吩受体是含氟烷基链的聚噻吩。与现有技术相比，本发明专利技术含氟聚噻吩光电材料在聚噻吩结构中引入了强吸电子的含氟基团，提高了电子接受能力；利用可控分步催化剂转移聚合法，合成结构规整的含氟聚噻吩受体－聚噻吩－聚噻吩给体的三嵌段聚噻吩高分子结构，具有缺陷少、载流子损失率低和光转化率高的特点，因而可以用于有机薄膜太阳能电池领域，为制备出高光转化率的太阳能电池提供了一种理想的材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高分子材料
，尤其涉及一种高光转化率的含氟聚噻吩光电材 料及其制备方法。
技术介绍
随着石油、煤炭等不可再生能源的日益枯竭，以及全球对环境问题的重视，近年来 以光伏产业为代表的可再生新能源迎来了发展高峰期。进入本世纪，世界光伏电池的产量 以年均40%以上的速度急剧攀升，2007年全球太阳能电池产量达到3436丽，同比增长了 56%。目前，硅系太阳能电池的开发已经进人大规模发展阶段，但是硅系太阳能电池主 要存在以下三方面的问题(1)成本高随着太阳能电池产业的发展，引起了硅材料的供应 危机，硅材料的价格也随之迅猛增长，从2004年底的65美元/kg，到2008年5月其价格已 达到400美元/kg以上，几乎以每年翻一番的速度增长；(2)不利于环保制造硅系太阳能 电池的主要材料是单晶硅和多晶硅，生产单晶硅和多晶硅需要进行高温提炼，带来高能源 消耗、高污染生成的问题；(3)光电转换效率提高潜力有限较低单结、多晶或非晶等硅系 太阳能电池的光电转换效率理论极限值为25%。以GaAs、CuInSe2等为代表的多元化合物薄膜太阳能电池是另一种太阳能电池，， 多元化合物薄膜太阳能电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高光转化率的聚噻吩光电材料，其特征是：具有含氟聚噻吩受体－聚噻吩－聚噻吩给体的三嵌段聚噻酚高分子，该三嵌段聚噻酚高分子的结构式为：　　＊＊＊　　其中，第一嵌段的含氟聚噻吩受体是含氟烷基链的聚噻吩，分子式中Ｒｆ指代具有含氟烷基链的基团；第三嵌段的聚噻吩给体是含烷基链、烷氧基链或者三苯胺基链的聚噻吩，分子式中Ｒ指代含烷基链、烷氧基链或者三苯胺基链。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛立新，葛子意，戴宁，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：97[中国|宁波]