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本发明提供了半导体测试结构、制程方法以及测试方法，其中，半导体测试结构包括：半导体衬底；具有第一导电类型的第一阱区，位于半导体衬底的一侧；栅介质层，图案化地位于第一阱区背离半导体衬底的一侧；由硅局部氧化层延展形成的至少两相邻的鸟嘴，鸟嘴之间...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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