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本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括位于衬底上的多个存储单元，每个所述存储单元包括：晶体管；电容器，电连接所述晶体管，所述电容器包括主体部、以及位于所述主体部的侧面且与所述主体部电连接的延伸部。本公开增大了电容器的电容量...
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