【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅电极与字线电连接、源电极与位线电连接、漏电极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
2、随着半导体制造技术的不断发展，各领域对dram等半导体结构的存储容量的要求越来越高。但是，传统的dram等半导体结构由于其结构的限制，导致电容器的电容量较低，从而限制了半导体结构存储容量的提高。
3、因此，如何增大半导体结构中的电容量，从而提高半导体结构的存储容量，是当前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、本公开一些实施例提供的半导体结构及其形成方法，用于解决半导体结构的电容量较低的问题，以提高半导体结构的存储容量。
2、根本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括位于衬底上的多个存储单元，每个所述存储单元包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容器中的所述延伸部的数量为多个，且多个所述延伸部至少分布于所述主体部的一侧。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容器中的所述延伸部的数量为多个，且多个所述延伸部至少沿第一方向分布于所述主体部的相对两侧，所述第一方向为平行于所述衬底的顶面的方向。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管包括：
5.根据权利要求1～4任意一项所述的半导体结构，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括位于衬底上的多个存储单元，每个所述存储单元包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容器中的所述延伸部的数量为多个，且多个所述延伸部至少分布于所述主体部的一侧。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述电容器中的所述延伸部的数量为多个，且多个所述延伸部至少沿第一方向分布于所述主体部的相对两侧，所述第一方向为平行于所述衬底的顶面的方向。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管包括：
5.根据权利要求1～4任意一项所述的半导体结构，其特征在于，所述延伸部在所述衬底上的投影沿第一方向的宽度大于所述主体部在所述衬底的上的投影沿所述第一方向的宽度，且所述主体部与所述晶体管电连接。
6.根据权利要求1或5所述的半导体结构，其特征在于，所述电容器包括：
7.根据权利要求1或5所述的半导体结构，其特征在于，所述电容器包括：
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述晶体管位于所述电容器的下方，且二者之间具有第一隔离层，其中，所述电容器的所述主体部贯穿所述第一隔离层，以电连接所述晶体管。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，肖德元，邱云松，白卫平，苏星松，郁梦康，黄娟娟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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