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本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲的SiC VDMOSFET结构，其包括多个并联连接的条形的MOS元胞，至少一个所述MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，所述N+/P+/polySi背靠背二极管包括通过离子注入形成于所述MO...
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