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本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。其中，半导体结构，具有阵列区与外围区，包括：半导体衬底；存储阵列结构，位于所述阵列区的所述半导体衬底上方；外围电路结构，位于所述外围区的所述半导体衬底上方；导电连接结构，位于所述半导体衬底内，电连接所述...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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