【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、半导体存储器件通常包括阵列区与外围区。阵列区中设有存储阵列结构，外围区中设有外围电路结构。外围电路结构可以对存储阵列结构中的各个存储单元进行控制。
2、在目前的存储器件中，通常在形成存储阵列结构之后，自存储阵列结构上方向下刻蚀介质层形成接触孔结构，然后在接触孔结构上方形成导电层而将相关接触孔结构连接，进而实现存储阵列结构与外围电路结构的电性连接。
3、但是使得该种连接方式，在一些情况下可能会影响器件性能。如，对于三维存储器件，由于其具有多层堆叠结构，会导致接触孔结构较长，从而可能会产生较大的rc延迟。
技术实现思路
1、基于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法。
2、一种半导体结构，具有阵列区与外围区，包括：
3、半导体衬底；
4、存储阵列结构，位于所述阵列区的所述半导体衬底上方；
5、外围电路结构，位于所述外围区的所述半导体衬底上方；<...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，具有阵列区与外围区，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储阵列结构包括多层堆叠设置的存储单元。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底设有沟槽，所述导电连接结构位于所述沟槽内。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽位于所述阵列区与所述外围区之间。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述导电连接结构与所述沟槽之间还设有隔离保护层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离保护层...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，具有阵列区与外围区，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述存储阵列结构包括多层堆叠设置的存储单元。
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底设有沟槽，所述导电连接结构位于所述沟槽内。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽位于所述阵列区与所述外围区之间。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述导电连接结构与所述沟槽之间还设有隔离保护层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离保护层包括第一氧化层、第二氧化层以及氮化物层，所述第一氧化层位于所述沟槽表面，所述氮化物层位于所述第一氧化层与第二氧化层之间。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氧化层由所述沟槽内延伸至所述外围区的所述半导体衬底上表面。
8.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述沟槽内还设有填充层，所述填充层位于所述导电连接结构表面且填充所述沟槽。
9.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：
10.一种半...
【专利技术属性】
技术研发人员：林超，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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