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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构包括：衬底以及位于所述衬底内的第一隔离沟槽；第一绝缘层，覆盖所述第一隔离沟槽的底表面和侧壁的下部；第二绝缘层，覆盖所述第一隔离沟槽的侧壁的上部；第三绝缘层，至少部分位于所述第一绝缘...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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