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本文提供一种用于处理基板的方法和装置。例如，用于处理基板的方法包括：向靶施加DC靶电压，所述靶设置在等离子体处理腔室的处理容积内；以默认速度旋转设置在所述靶上方的磁体，以朝向设置在所述处理容积内的基板支撑件引导来自所述靶的溅射材料；测量所述...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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