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本发明公开了一种氧化层蚀刻方法，所述氧化层蚀刻方法包括：于单体设备进行氧化层和多晶硅的蚀刻作业。当在单体设备的两个腔室进行蚀刻作业时，按主刻蚀+灰化+主刻蚀流程进行。当在单体设备的单个腔室进行蚀刻作业时，按主刻蚀+主刻蚀流程进行。本发明方法...
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