一种氧化层蚀刻方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化层蚀刻方法，所述氧化层蚀刻方法包括：于单体设备进行氧化层和多晶硅的蚀刻作业。当在单体设备的两个腔室进行蚀刻作业时，按主刻蚀+灰化+主刻蚀流程进行。当在单体设备的单个腔室进行蚀刻作业时，按主刻蚀+主刻蚀流程进行。本发明专利技术方法于单体设备进行氧化层和多晶硅的蚀刻作业。由于氧化物层和多晶硅的连接构造有相似的倾向，因此蚀刻工艺室可以使用同一个腔室进行。通过在单体设备进行双图案层氧化蚀刻避免了硅片转移过程造成的微粒污染问题和挤压问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体加工，尤其涉及一种氧化层蚀刻方法。

技术介绍

1、氧化蚀刻作业中存在连续的作业步骤。例如，dpt(double patterning),qpt(quadruple patterning)进行的工程即是反复蚀刻工程。

2、一般情况，18nm以上会涉及到双图案层dpt蚀刻作业，包括：氧化物层蚀刻-灰化—清洁-多晶硅蚀刻-灰化-清洁步骤。

3、而在反复的蚀刻工程之间存在周转时间问题，以及各蚀刻工程之间在进行物料的转移过程中可能会产生灰尘/微粒污染问题以及压力问题(例如，夹持产生的压力)，从而会导致芯片良品率下降。

4、针对上述问题，亟需一种新的氧化层蚀刻方法。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于：为了克服现有技术问题，公开了一种氧化层蚀刻方法，通过本专利技术氧化层蚀刻方法，提升了芯片的加工效率及良品率。

2、本专利技术目的通过下述技术方案来实现：

3、一种氧化层蚀刻方法，所述氧化层蚀刻方法包括：于单体设备进行氧化层和多晶硅的蚀刻作业本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化层蚀刻方法，其特征在于，所述氧化层蚀刻方法包括：于单体设备进行氧化层和多晶硅的蚀刻作业。

2.如权利要求1所述的氧化层蚀刻方法，其特征在于，当在单体设备的两个腔室进行蚀刻作业时，按主刻蚀+灰化+主刻蚀流程进行。

3.如权利要求1所述的氧化层蚀刻方法，其特征在于，单体设备的两个腔室分别为主腔室和带状腔室，其中，于主腔室内进行刻蚀流程，于带状腔室内进行灰化。

4.如权利要求3所述的氧化层蚀刻方法，其特征在于，在单体设备的两个腔室进行蚀刻作业时，具体按如下流程完成双图案层氧化蚀刻：

5.如权利要求1所述的氧化层蚀刻方法，其特征在于，当...

【技术特征摘要】

1.一种氧化层蚀刻方法，其特征在于，所述氧化层蚀刻方法包括：于单体设备进行氧化层和多晶硅的蚀刻作业。

2.如权利要求1所述的氧化层蚀刻方法，其特征在于，当在单体设备的两个腔室进行蚀刻作业时，按主刻蚀+灰化+主刻蚀流程进行。

3.如权利要求1所述的氧化层蚀刻方法，其特征在于，单体设备的两个腔室分别为主腔室和带状腔室，其中，于主腔室内进行刻蚀流程，于带状腔室内进行灰...

【专利技术属性】
技术研发人员：车范锡，郑锺浩，曹台勋，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：