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根据本申请的实施例，公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括：衬底；鳍状基底，设置在衬底上；纳米结构化沟道区，设置在鳍状基底的第一部分上；栅极结构，围绕纳米结构化沟道区；源极/漏极(S/D)区，设置在鳍状基底的第二部分上...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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