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本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，其中公开了一种分栅结构的改进功率MOSFET，分栅结构包括在沟槽中的栅极电极和场板电极。改进功率MOSFET包括形成在沟槽TR的下部处的场板电极FP，并且包括形成在沟槽TR的上部处的栅极电极GE。场板电...
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