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本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、设置在帽盖层上的第一吸收体层、设置在第一吸收体层之上的第一多层、设置在第一多层上的第二吸收体层、以及设置在第二吸收体层之上的第二多层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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