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半导体结构的制造方法技术
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文档序号:39818980
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本公开提供一种半导体结构的制造方法。在一基板上方形成一第一图案化层及一第二图案化层,该第二图案化层及该第一图案化层交替排列。进行一蚀刻,进而形成该第一图案化层的一弧形表面及该第二图案化层的一弧形表面。一牺牲层形成于该第一图案化层及该第二图案...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。
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