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本发明提供的是一种具有应变硅结构的高压低功耗ＳＯＩ?ＬＤＭＯＳ晶体管。包括源区（９）、体区（８）、漏区（５）、超结结构中ｎ柱（３）、超结结构中ｐ柱（４）、源电极（１０）、漏电极（１２）、栅电极（１１）、埋置介质层（６），所述超结结构中ｐ柱（...
该专利属于哈尔滨工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。

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