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本发明提供提高超临界干燥后的基片的清洁度的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括液处理装置、超临界干燥装置、第一装载锁定装置、干式清洗装置和控制装置。液处理装置在基片的表面形成液膜。超临界干燥装置通过将液膜替换为超临界流体来干燥基片。...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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