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一种半导体装置及其制造方法，半导体装置(具有混合的CMOS结构)包含第一单元区域至第四单元区域。在相对于例如Z轴上，第一单元区域及第二单元区域的每一者包含一对纳米片的第一堆叠及第二堆叠。第一堆叠的纳米片具有第一掺质类型，例如N型。第二堆叠的...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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