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一种半导体器件可以包括：第一衬底结构，包括板层、堆叠在板层上的栅电极、穿透栅电极的沟道结构、以及沟道结构上的第一接合金属层；以及第二衬底结构，连接到第一衬底结构，并且包括具有有源区的衬底、在衬底中限定有源区的器件隔离层、衬底的一个表面上的电...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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