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一种半导体装置，具有填充氧化物阻挡结构位于半导体装置内的栅极全绕式晶体管结构之间。填充氧化物阻挡结构的使用可以缩短隔开P型金属氧化物半导体鳍部结构的纳米片与N型金属氧化物半导体鳍部结构的纳米片的距离、扩大在P型金属氧化物半导体鳍部结构及N型...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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