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提供了一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：衬底；有源区，其包括第一杂质区和与第一杂质区间隔开的第二杂质区；隔离区，其限定有源区；栅极结构，其与有源区相交并在平行于衬底的第一方向上延伸；第一焊盘图案，其设置在第一杂质区...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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