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本公开提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底；形成一金属化层在该基底上；形成一上介电层在该金属化层上；形成一第一牺牲层与一第二牺牲层，其每一个穿过该上介电层与该金属化层；移除该上介电层；形成一宽度控制结构在该第一牺牲层与该第...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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