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本发明公开了一种制作纳米压印印章的方法，该方法通过电子束曝光在电子束胶上得到纳米图形，利用金属蒸发和电镀的方法将该纳米图形填充后转移到金属表面，然后将带有微纳结构的金属镀膜转移粘附在金属衬底上，得到可重复使用的纳米压印印章。该方法制作的金属...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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