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一种非易失性存储器件，包括：第一芯片，包括第一衬底和电路元件；以及第二芯片，堆叠在所述第一芯片上。所述第二芯片包括：第二衬底，包括第一单元区域和第二单元区域；栅电极，堆叠在所述第二衬底的所述第二单元区域上，其中，所述栅电极位于所述第二衬底与...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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