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本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；依序形成一第一氮化物层、一第一牺牲层、一第二氮化物层、一第二牺牲层以及一第三氮化物层在该基底上；形成一第一开口以及一第二开口，其中该第一开口暴露在该基底中的一第一着陆垫，而该第...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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