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一种半导体器件，包括：纳米结构的第一堆叠件；纳米结构的第二堆叠件，与第一堆叠件水平偏移；第一源极/漏极区，邻接纳米结构的第一堆叠件；第二源极/漏极区，邻接纳米结构的第二堆叠件；壁结构，位于第一堆叠件与第二堆叠件之间并且与第一堆叠件的纳米结构...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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