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本实用新型的实施例提供一种半导体结构包括基底、位在基底上的晶体管结构、耦接到晶体管结构的内连线结构、具有第一顶部电极及第一底部电极的第一电容器以及具有第二顶部电极及第二底部电极的第二电容器，内连线结构包括第一金属线、位在与第一金属线相同的金...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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