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本发明揭露了一种半导体器件栅氧化层完整性的测试结构，包括：有源区；所述多个浅槽隔离为块状，设置于所述有源区中；所述多个栅极结构平行间隔的覆盖于所述浅槽隔离上。利用本发明提供的半导体器件栅氧化层完整性的测试结构可以监测出多晶硅栅边缘和浅槽隔离...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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