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本发明提供了一种存储器元件及其制造方法。所述存储器元件可以应用于三维AND快闪存储器元件。存储器元件包括栅极堆叠结构、通道柱、多个导体柱以及电荷储存结构。所述栅极堆叠结构位于介电基底上方。所述栅极堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝...
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