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本公开内容大体涉及动态随机存取存储器(DRAM)器件及用于DRAM器件的半导体制造。本文公开的某些实施方式提供了用于形成CMOS触点、DRAM阵列位线接触部(BLC)及储存节点结构的集成处理系统及方法。该集成处理系统及方法能够沉积接触部及储...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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