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本公开的实施例描述了具有隔离结构的半导体结构。半导体结构包括：纳米结构组，位于衬底上；栅极介电层，包裹纳米结构组；功函金属层，位于栅极介电层上和纳米结构组周围；以及隔离结构，与纳米结构组相邻并且与功函金属层接触。功函金属层的部分位于隔离结构...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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