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本申请提供了一种具有阶梯状位元线(BL)的存储器元件。该存储器元件包括：一半导体基板，包括一第一表面；以及一位元线，设置于该半导体基板的该第一表面上，其中该位元线包括一第一介电层、设置于该第一介电层上方的一导电层、设置于该导电层上方的一第二...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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