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半导体装置包含多个鳍结构，设置于基底上方，以及功函数合金层，设置于多个鳍结构的每一者上方，多个鳍结构包含第一鳍结构及第二鳍结构，功函数合金层的第一部分中的第一元素的含量不同于功函数合金层的第二部分中的第一元素的含量，第一部分设置于第一鳍结构...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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