温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种提高分栅式闪存耐用性的擦除方法，包括：在所述源极区域、漏极区域的字线加不为零的电压ＶＢＬ，在所述字线上加电压ＶＷＬ＝Ｖ０＋０．６＊ＶＢＬ，所述第一控制栅、第二控制栅空接，其中Ｖ０为当源极区域、漏极区域接地时闪存的擦除电压。本发...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。