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晶体管结构及其制造方法技术
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文档序号:39181277
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本公开提供了一种晶体管结构及其制备方法,该晶体管结构包括衬底、栅极结构、多个第一口袋掺杂区、多个第二口袋掺杂区、多个源极/漏极延伸区与多个源极/漏极区。栅极结构位于衬底上。多个第一口袋掺杂区位于栅极结构旁的衬底中。第一口袋掺杂区的掺杂包括I...
该专利属于旺宏电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过旺宏电子股份有限公司授权不得商用。
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