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本发明公开一种增加JFET区源极接触的埋沟V槽碳化硅VDMOSFET结构，包括JFET区顶端具有肖特基结，肖特基结上方淀积有金属2，多晶硅(G极)外围包覆有绝缘隔离性的氧化层，多晶硅(G极)表面与金属2之间通过氧化层隔离，碳化硅外延层表面还...该专利属于杭州谱析光晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州谱析光晶半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种增加JFET区源极接触的埋沟V槽碳化硅VDMOSFET结构，包括JFET区顶端具有肖特基结，肖特基结上方淀积有金属2，多晶硅(G极)外围包覆有绝缘隔离性的氧化层，多晶硅(G极)表面与金属2之间通过氧化层隔离，碳化硅外延层表面还...