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本发明提出了一种静电场掺杂隧穿场效应晶体管，通过在源区和漏区上的氧化层上淀积不同的金属材料形成偏置电极，并施加一定的偏置电压，利用电极偏置原理，在源区和漏区感生大量电子或空穴，形成N型或P型掺杂，利用双栅结构控制器件沟道的开启和关断。开启状...
该专利属于集美大学所有，仅供学习研究参考，未经过集美大学授权不得商用。

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