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本发明公开了一种具有埋入相变化区域的存储单元及其制造方法。本发明公开的一种存储单元包含一底电极包括一衬底部位及一柱状部位在该衬底部位之上，该柱状部位具有小于该衬底部位的一宽度。一介电层围绕该底电极且具有一顶表面。一存储元件于该底电极之上且包...
该专利属于旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司授权不得商用。

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