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本发明提供一种蚀刻方法和等离子体处理系统，提高相对于掩模的选择比。该方法是在具有腔室的等离子体处理装置中执行的蚀刻方法。该方法包括：工序(a)，向腔室内提供具有含硅膜以及含硅膜上的掩模的基板；以及工序(b)，在腔室内，从处理气体生成等离子体...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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