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本发明提供基片处理方法和基片处理装置，其抑制从在处理腔室中进行了处理的基片释放的处理气体对输送腔室的影响。基片处理方法包括：在第一处理腔室中对基片实施第一处理的步骤；在第二处理腔室中对其他基片实施第二处理的步骤；在实施第一处理的步骤之后，在...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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