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本发明公开了一种静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）单元阵列结构，其包括耦合到ＳＲＡＭ单元一列的第一和第二位线，第一和第二位线基本彼此平行并且通过第一金属层形成，以及置于第一和第二位线之间的第一导线，其跨越ＳＲＡＭ单元的列并且不和所述列电连接，第...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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