【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种静态随机存取存储器（ＳＲＡＭ）单元阵列结构，包括： 耦合到ＳＲＡＭ单元的一个列的第一和第二导线，所述第一和第二导线基本彼此平行并且通过第一金属层形成；以及 置于所述第一和第二导线之间的第三导线，其跨越所述ＳＲＡＭ单元的列并且 不与该列电连接，所述第三导线也通过第一金属层形成。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：李政宏，吴经纬，廖宏仁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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