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一种ＣＭＯＳ　ＦｉｎＦＥＴ半导体器件提供了在半导体鳍（ｆｉｎ）上包括压缩应力金属栅极层的ＮＭＯＳ　ＦｉｎＦＥＴ（鳍式场效应晶体管）器件和在半导体鳍上包括拉伸应力金属栅极层的ＰＭＯＳ　ＦｉｎＦＥＴ器件。形成该器件的工艺包括选择性地将形成在ＰＭ...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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